Прорыв в технологиях увеличит память смартфонов в сотни раз

24 липня 2014, 19:30
Специалисты Университета Райса в Техасе разработали технологию, благодаря которой емкость встроенной памяти в мобильных гаджетах может вырасти в сотни раз, достигнув терабайтов
CNews

В привычной флэш-памяти биты сохраняются как заряды, тогда как в RRAM требуемые размеры ячеек гораздо меньше, что позволяет хранить больше информации. Кроме того, новая технология позволяет с легкостью накладывать слои ячеек друг на друга для экономии занимаемой микросхемой площади.

Відео дня

Выпуск таких чипов стоит достаточно дорого, поскольку требует высокую температуру и напряжение. Техасские разработчики заверяют, что смогли решить оба вопроса. Отсутствие высокотемпературных процессов позволяет разместить RRAM элементы вместе с другими компонентами микросхемы без риска их расплавления.

Предложенная учеными ячейка такой памяти включает три слоя - две металлические пластины в роли электродов, а между ними - перфорированная пластинка из диоксида кремния с отверстиями. Благодаря кратковременной подаче тока на металл разработчики научились изменять показатель постоянного сопротивления конструкции.

"Почему бы вам не хранить все фильмы из вашей коллекции на iPhone? Вопрос не в желании, а в возможности. В вашем мобильнике просто нет такого объема памятиз", - пояснил Джеймс Тур, профессор материаловедения в Университете Райса и глава исследовательской группы.

По его словам, такая возможность появится уже скоро: его команда намерена подписать первый договор на использование технологии в течение двух недель.

Показати ще новини
Радіо НВ
X