Компания IBM создала первые в мире 5-нанометровые процессоры

6 июня 2017, 13:47
Цей матеріал також доступний українською
IBM, Globalfoundries и Samsung удалось разработать первый в отрасли техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния

Такое решение позволило вдвое сократить размер транзисторных затворов на современных чипах от 10 до 5 нанометров, пишет Science Alert.

В свою очередь, более тонкий техпроцесс производства чипов позволяет плотнее размещать транзисторы, а это, в свою очередь, дает возможность снизить энергозатраты и увеличить скорость прохождения сигнала. К примеру, микросхема от IBM размеров с ноготь вмещает 30 миллиардов транзисторов.

Видео дня

По сравнению с наиболее передовой существующей технологией — 10-нанометровой — новая технология может обеспечить увеличение производительности на 40% при таком же энергопотреблении или снижение энергопотребления на 75% при той же производительности.

"Это большое развитие. Если я могу сделать транзистор меньше, я получаю больше транзисторов на той же площади, что означает, что я получаю больше вычислительной мощности", - подчеркнул один из разработчиков, Дэн Хатчесон, генеральный директор компании VLSI Research.

Отметим, что разработка чипа заняла примерно два года с того момента, как IBM продемонстрировала 7-нанометровый чип с 20 миллиардами транзисторов. Производство 7-нанометровых чипов, сделанных с использованием FinFET архитектуры планируется начать в 2018 году, а новые чипы ожидаются не ранее 2019 года. Правда, не следует ожидать, что они сразу появятся в потребительских гаджетах.

poster
Подписаться на ежедневную email-рассылку
материалов раздела Техно
Рассылка о том как технологии изменяют мир
Каждый понедельник

Присоединяйтесь к нам в соцсетях Facebook, Telegram и Instagram.

Показать ещё новости
Радіо НВ
X