В заявлении на сайте Samsung отмечается, что они предназначены "для следующего поколения мобильных устройств". Есть вероятность, что компания имеет в виду свой будущий флагман - модель Galaxy S9.
Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND. Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Таким образом, файл размером 5 ГБ можно будет передать всего за 6 секунд.
"Новый модуль Samsung 512GB eUFS обеспечивает лучшее встроенное решение для хранения данных для смартфонов премиум-класса следующего поколения путем преодоления потенциальных ограничений в производительности системы, которые могут возникнуть при использовании микроSD карт. Samsung делает большой шаг вперед в деле содействия своевременному запуску следующего поколения мобильных устройств с помощью мобильных производителей по всему миру", - подчеркнул исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics Джешу Хан.
Новая схема и технология управления мощностью минимизируют неизбежное увеличение потребляемой энергии. Кроме того, хранилище eUFS объемом 512 ГБ ускоряет процесс сопоставления при преобразовании адресов логических блоков в физические блоки.
В компании ничего не говорят о сроках выхода первых устройств с чипами памяти на 512 гигабайт. Возможно, первым будет флагман Samsung Galaxy S9 или следующая модель линейки Note.